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J-GLOBAL ID：201602292101278458   整理番号：16A0980473

GAN光陰極Se負電子アフィニティーエミッタポテンシャルと吸着機構の研究【JST・京大機械翻訳】

Cs Adsorption Mechanism for Negative Electron Affinity GaN Photocathode

著者 (5件)： Qiao Jianliang (School of Electronic and Electrical Engineering,Nanyang Institute of Technology) ,  Xu Yuan (School of Electronic Engineering and Optoelectronic Techniques,Nanjing University of Science and Technology) ,  Gao Youtang (School of Electronic and Electrical Engineering,Nanyang Institute of Technology) ,  Niu Jun (School of Electronic and Electrical Engineering,Nanyang Institute of Technology) ,  Chang Benkang (School of Electronic Engineering and Optoelectronic Techniques,Nanjing University of Science and Technology)
資料名： Guangzi Xuebao  (Guangzi Xuebao)
巻： 45  号： 4  ページ： 0425001-1-0425001-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1500A  ISSN： 1004-4213  CODEN： GUXUED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 勢変化セシウム吸着と陰極の電子親和性との間の定量的関係を得るために,陰極のNEA光活性化実験評価システムを利用してGAN光電陰極に対してセシウムの活性化を行った。半導体光電子放出理論と二重双極子層モデルにより,電子勢随Se被アフィニティー変化の実験結果に対してフィッティング演算を行うことにより,Se覆盖度電子親和力との間の関数関係式を得た。セシウムの吸着機構を解析し,活性化過程におけるセシウムの吸着過程とGAN材料の有効電子アフィニティー勢下降との間の関係を得た。実験結果:負電子アフィニティーエミッタとポテンシャルGAN光電陰極材料はセシウム活性化光電流はSe覆盖度の増加にに伴い本底値増は最大値であるから,活性化過程におけるGANの電子エネルギー分布曲線が低運動エネルギーインターセプトの位置、セシウムの被覆率によって決まる。低運動エネルギーインターセプトは順に,セシウムの被覆率は,0から1個の単層の変化から時左へ移動し,被覆率が0から1つの単層まで増加するとき,低運動エネルギーインターセプト左へ約3EVまでの距離を移動した。研究の結果,低運動エネルギーインターセプトの偏移本質上GAN(MG):電子エスケープに果たす促進作用の有効双極子[CS]の数の増加によるものであり,有効双極子数の増加がこの材料表面の真空エネルギーレベルの低下をもたらした。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー準位 ,  セシウム ,  *親和性 ,  電子親和力 ,  *ポテンシャル ,  *光電陰極 ,  被覆率 ,  光電流 ,  光電子放出 ,  単一層 ,  *セレン ,  双極子 ,  *吸着
準シソーラス用語： 光活性化 ,  *吸着機構 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： Semiconductor material ,  Negative electron affinity ,  Double dipole layer model ,  GaN ,  Photocathode ,  Photocurrent ,  Cs adsorption

分類 (1件)： 光電子放出  (BM09030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  光陰極 ,  Se ,  電子 ,  吸着 ,  研究