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J-GLOBAL ID：201602292152746230   整理番号：16A0774408

InGaN青色レーザダイオードの負の特性温度の数値研究【Powered by NICT】

Numerical investigation on the negative characteristic temperature of InGaN blue laser diodes

著者 (1件)： Ryu Han-Youl (Department Physics, Inha University, Incheon 402-751, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： NUSOD  ページ： 207-208  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系青色レーザダイオード(LD)は,極めて高い特性温度(T_0)あるいは負T_0のような特異な温度特性を示すことができる。を数値シミュレーションを用いてInGaN二重量子井戸(QW)構造を持つ青色LDの温度依存性デバイス特性を調べた。量子井戸間の障壁層のn型ドーピング濃度が増加するにつて,負T_0を観察することができ,このことは,温度に伴う量子井戸中の正孔輸送の改善の結果として温度とn側QWでの利得の増加に起因することが分かった。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 利得 ,  量子井戸 ,  *窒化ガリウム ,  温度依存性 ,  *半導体レーザ
準シソーラス用語： 正孔輸送 ,  バリア層 ,  デバイス特性 ,  二重量子井戸 ,  数値シミュレーション ,  温度特性 ,  *数値研究 ,  *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： パターン認識  (JE07000S) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  青色レーザ ,  ダイオード ,  数値 ,  研究