文献
J-GLOBAL ID:201602295276477106   整理番号:16A1100844

キャパシタ用途のためのBaTiO3-BiScO3とSrTiO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3の非化学量論を介した輸送特性の調整

Tailoring transport properties through nonstoichiometry in BaTiO3-BiScO3 and SrTiO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3 for capacitor applications
著者 (2件):
資料名:
巻: 51  号: 20  ページ: 9404-9414  発行年: 2016年10月 
JST資料番号: B0722A  ISSN: 0022-2461  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
セラミックペロブスカイト固溶体BaTiO3-BiScO3(BT-BS)とSrTiO3-Bi(Zn1/2Ti1/2)O3(ST-BZT)は,高温および高エネルギー密度誘電体用途での有望な候補である。Aサイトカチオン非化学量論を,これら2つのセラミック系の誘電特性と輸送特性に及ぼす効果を温度および酸素分圧依存ACインピーダンス分光法を用いて調べるために導入した。p型BT-BSセラミックの場合,Biの過剰添加は,効果的なドナードーピングと,絶縁特性の顕著な改善をもたらした。A副格子上へのBa空孔の導入で同様な効果が観察された。しかし,Bi欠損は,効果的なアクセプタドーピングとバルク電気抵抗率の劣化という逆の効果を残した。n型固有ST-BZTセラミックスに対して,A副格子へのSrの過剰添加は,予想通り抵抗率値の低下をもたらした。Aサイト上のSr空孔の導入または過剰Biの添加は,空気中の絶縁特性に影響しないようであった。これらの結果は,微小レベルの非化学量論が材料特性に重要な影響を及ぼす可能性を示し,さらにBi含有ペロブスカイト系の欠陥化学の一般的なモデルを確立しようとする際に遭遇する困難を実証する。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
セラミック・磁器の性質  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性 

前のページに戻る