文献

J-GLOBAL ID：201602295342198372   整理番号：16A0679562

PMSM駆動のためのSiCとSiデバイスの比較【Powered by NICT】

Comparisons of SiC and Si devices for PMSM drives

著者 (6件)： Qin Haihong (Center for More Electric Aircraft Power System, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Xie Haotian (Center for More Electric Aircraft Power System, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Zhu Ziyue (Center for More Electric Aircraft Power System, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Nie Xin (Center for More Electric Aircraft Power System, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Xu Huajuan (Center for More Electric Aircraft Power System, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China) ,  Fu Dafeng (Center for More Electric Aircraft Power System, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IPEMC - ECCE Asia  ページ： 891-896  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si IGBTと比較して,SiC MOSFETは,より速いスイッチング速度と高い動作接合温度によって特性化した。有意に低いスイッチング損失,低い不感時間とより高いスイッチング周波数を含む潜在的利点は,SiCデバイスにより達成される。1kW PMSM(永久磁石同期電動機駆動プロトタイプ仕様に対して,Si IGBTとSiC MOSFETの電力損失を比較した。不感時間効果を解析し,シミュレーション結果を示した。Si及びSiCパワーデバイスに基づく1kWのPMSM(永久磁石同期電動機駆動のプロトタイプをそれぞれ作製し,低速度の下で電力損失,効率,温度上昇と不感時間効果を含む実験結果を与え,これはSiC MOSFETに基づくPMSM駆動は,より高い効率,より高い電力密度と優れた動的性能を達成することを検証した。Copyright 2016 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： IGBT ,  *ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  プロトタイプ ,  MOSFET ,  スイッチング損失 ,  不感時間 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 電力密度 ,  パワーデバイス ,  電力損失 ,  スイッチング周波数 ,  接合温度 ,  スイッチング速度 ,  *PMSM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 信号理論  (ND02020G) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (3件)： PMSM ,  SiC ,  Si