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J-GLOBAL ID：201602295642549700   整理番号：16A0713201

Si(111)上に成長したAlN膜の特性

Properties of AlN film grown on Si (111)

著者 (12件)： Dai Yiquan (Mechanical Science & Engineering, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, China) ,  Li Shuiming (Mechanical Science & Engineering, Huazhong University of Science & Technology, Wuhan 430074, China) ,  Li Shuiming (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, China) ,  Li Shuiming (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, China) ,  Sun Qian (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, China) ,  Sun Qian (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, China) ,  Peng Qing (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan, Hubei 430072, China) ,  Peng Qing (Department of Mechanical, Aerospace and Nuclear Engineering, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA) ,  Gui Chengqun (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan, Hubei 430072, China) ,  Zhou Yu (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, China) ,  Zhou Yu (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, China) ,  Liu Sheng (School of Power and Mechanical Engineering, Wuhan University, Wuhan, Hubei 430072, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 435  ページ： 76-83  発行年： 2016年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(111)基板上に成長したAlN膜の応力と歪みを,Raman振動数シフトを測定することによって評価した。AlNの機械的特性とフォノン変形ポテンシャルを第1原理計算によって評価した。計算モデルは,計算したRaman振動数とバルク単結晶から検出した振動数を比較することによって検証した。その結果から,2組の振動数が互いに非常によく一致することが明らかになった。そのような方法で,同じ検証モデルとパラメータを用いて,弾性定数とフォノン変形ポテンシャルを計算した。さらに,上記の計算を検証するための数値モデルを開発するのに成功した。また,そのモデル自体も結晶膜の特性を予測するのに有用であった。最後に,種々の基板上の膜に対して,応力,歪みおよび圧電特性を解析して,比較した。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  *残留応力 ,  *歪 ,  Ramanスペクトル ,  第一原理 ,  ポテンシャル ,  フォノン ,  弾性係数 ,  数学モデル ,  *モデリング ,  *特性
準シソーラス用語： フォノン変形ポテンシャル ,  弾性定数 ,  *圧電特性

著者キーワード (6件)： A1. Characterization ,  A1. X-ray microdiffraction ,  A3. Metalorganic chemical vapor deposition ,  B1. Nitride ,  B2. Semiconductor III-V materials ,  B2. Piezoelectric materials

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  成長 ,  AlN