特許

J-GLOBAL ID：201603000238986738

前駆体溶液及び炭化シリコンを含有する層、並びに、パワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法

発明者： 下田 達也 ,  井上 聡 ,  増田 貴史 ,  村上 達也 ,  岩室 憲幸 ,  矢野 裕司
出願人/特許権者： 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 ,  国立大学法人 筑波大学
代理人 (1件)： 河野 広明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-030433
公開番号（公開出願番号）：特開2016-152378
出願日： 2015年02月19日
公開日（公表日）： 2016年08月22日
要約：

【課題】パワー半導体素子におけるコンタクト抵抗を低減する材料を提供するとともに、コンタクト抵抗の低減を実現するパワー半導体素子を実現する。【解決手段】本発明の1つのパワー半導体素子は、金属配線30が接続するコンタクト層20と、炭化シリコン結晶中に形成されるn型半導体領域又はp型半導体領域からなる不純物領域との間に、n型又はp型のドーパントとともにシリコン(Si)及び炭素(C)を含む炭化シリコンを含有する中間層10を備える。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

金属配線が接続するコンタクト層と、炭化シリコン結晶中に形成されるn型半導体領域又はp型半導体領域からなる不純物領域との間に、 n型又はp型のドーパントとともにシリコン(Si)及び炭素(C)を含む炭化シリコンを含有する中間層を備える、 パワー半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/208

FI (8件)：

H01L29/78 652M ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 658F ,  H01L21/208 L

Fターム (22件)：

4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC01 ,  4M104DD28 ,  4M104FF02 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F053AA06 ,  5F053DD02 ,  5F053FF01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053JJ01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL10 ,  5F053PP02 ,  5F053PP03 ,  5F053RR13