特許
J-GLOBAL ID：201603005815659522
希土類薄膜磁石及びその製造方法並びに希土類薄膜磁石形成用ターゲット
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小越 一輝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-115719
公開番号（公開出願番号）：特開2015-230944
特許番号：特許第5861246号
出願日： 2014年06月04日
公開日（公表日）： 2015年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 Nd、Fe、Bを必須成分とする希土類薄膜磁石であって、α-Fe相とNd2Fe14B相とが三次元的に交互に配列した組織からなり、各相の平均結晶粒径が10〜30nmであり、膜厚が5μm以上、残留磁化が0.99T以上、1.05T以下、保磁力が380kA/m以上、450kA/m以下、最大エネルギー積(BH)maxが90kJ/m3以上、130kJ/m3以下であることを特徴とする希土類薄膜磁石。
IPC (8件)：
H01F 1/057 ( 200 6.01)
, C23C 14/24 ( 200 6.01)
, C23C 14/58 ( 200 6.01)
, C23C 14/16 ( 200 6.01)
, H01F 10/14 ( 200 6.01)
, H01F 41/18 ( 200 6.01)
, C22C 38/00 ( 200 6.01)
, H01F 41/02 ( 200 6.01)
H01F 1/04 H
, C23C 14/24 E
, C23C 14/58
, C23C 14/16 D
, H01F 10/14
, H01F 41/18
, C22C 38/00 303 D
, H01F 41/02 G
