特許

J-GLOBAL ID：201603014829547050

半導体装置及びその製造方法

発明者： 本庄 弘明 ,  木下 啓藏 ,  大野 英男
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013062734
公開番号（公開出願番号）：WO2013-190924
出願日： 2013年04月24日
公開日（公表日）： 2013年12月27日
要約：

本発明の半導体装置は、平坦な基板面上に配置される第一の磁性層1と、第一の磁性層1の上方に配置され第一の磁性層1に静磁結合あるいは交換結合により磁気的に結合される第二の磁性層3とを備える。第一の磁性層1と第二の磁性層3との間には、第一の磁性層1と第二の磁性層3との磁気的な結合を阻害しない膜厚の第三の薄膜層8が形成されている。

請求項（抜粋）：

平坦な基板面上に配置される第一の磁性層と、前記第一の磁性層の上方に配置され前記第一の磁性層に静磁結合あるいは交換結合により磁気的に結合される第二の磁性層とを備える半導体装置であって、 前記第一の磁性層と前記第二の磁性層との間には、前記第一の磁性層と前記第二の磁性層との磁気的な結合を阻害しない膜厚の第三の薄膜層が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01F 10/16 ,  H01F 41/34 ,  H01F 10/14

FI (6件)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  H01F10/16 ,  H01F41/34 ,  H01F10/14

Fターム (19件)：

4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC10 ,  4M119JJ12 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD26 ,  5F092BB55 ,  5F092BE27 ,  5F092CA08