特許
J-GLOBAL ID：201603019737215117
薄膜トランジスタとその製造方法および前記薄膜トランジスタを有する半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
上代 哲司
, 神野 直美
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-239755
特許番号：特許第6004459号
出願日： 2015年12月08日
要約：
【課題】電界効果移動度が20cm2/Vsを超えて動作速度が速い薄膜トランジスタとその製造方法および前記薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が積層されており、酸化物半導体膜の幅方向の両外側にソース領域とドレイン領域が形成されると共に、ソース領域とドレイン領域とに挟まれた領域にチャネル領域が形成され、ソース領域にソース電極が、ドレイン領域にドレイン電極が接続されている薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜にフッ素が含有されていると共に、チャネル領域の長さLに対する幅Wの割合(W/L)が8未満である薄膜トランジスタ。
【選択図】なし
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が積層されており、前記酸化物半導体膜の幅方向の両外側にソース領域とドレイン領域が形成されると共に、前記ソース領域とドレイン領域とに挟まれた領域にチャネル領域が形成され、前記ソース領域にソース電極が、前記ドレイン領域にドレイン電極が接続されている薄膜トランジスタであって、
前記ゲート絶縁膜にフッ素が含有されていると共に、
前記チャネル領域の長さLに対する幅Wの割合(W/L)が0.8以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 21/318 ( 200 6.01)
H01L 29/78 617 T
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 618 Z
, H01L 29/78 627 F
, H01L 21/318 B
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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