光起電力素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：山本典輝 , 岸本達人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-501949
特許番号：特許第5841231号
出願日： 2012年05月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1半導体材料により形成された第1層、及び、前記第1半導体材料とは異なる第2半導体材料により形成された第2層を備え、前記第2半導体材料は、その禁制帯中に局在準位又は中間バンドを有し、前記第1層及び前記第2層が繰り返し積層され、一対の前記第1層の間に配置された前記第2層を、少なくとも2以上有し、前記第1半導体材料がGaAsであり、前記第2半導体材料がGaNxAs1-xであり、且つ、0.003≦x≦0.4であり、前記第2層の厚さが1.1306nm未満である、光起電力素子。

IPC (1件)：