特許
J-GLOBAL ID:201603020372337798
電力用半導体素子のゲート制御装置
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
井上 正則
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-108733
公開番号(公開出願番号):特開2014-230410
特許番号:特許第6004988号
出願日: 2013年05月23日
公開日(公表日): 2014年12月08日
請求項(抜粋):
【請求項1】 インバータを構成する複数の電力用半導体素子用のPWM信号を発生するPWM制御手段と、前記電力用半導体素子の各々のゲートを駆動する複数のゲート駆動手段とから成るゲート制御装置であって、
前記PWM制御手段は、
前記PWM信号と、前記インバータの出力電流値または出力電流指令値に応じた遅延時間信号を前記ゲート駆動手段に供給し、
前記各々のゲート駆動手段は、
前記PWM信号を入力とし、前記電力用半導体素子にゲート電圧を供給する第1の駆動手段と、
前記電力用半導体素子のコレクタ電流を検出する電流検出手段と、
この電流検出手段で検出された瞬時電流が所定の電流しきい値となったときトリガ信号を出力する比較手段と、
前記PWM信号がターンオン信号であるとき、前記トリガ信号から前記遅延時間分遅らせて連続信号を出力する遅延手段と、
前記遅延手段の出力を入力とし、前記電力用半導体素子にゲート電圧を供給する第2の駆動手段と、
複数の抵抗、または複数の抵抗及びダイオードから成り、前記第1の駆動手段の出力と前記第2の駆動手段の出力を結合する結合手段と
を具備したことを特徴とする電力用半導体素子のゲート駆動装置。
IPC (2件):
H02M 1/08 ( 200 6.01)
, H03K 17/687 ( 200 6.01)
FI (2件):
H02M 1/08 A
, H03K 17/687 A
引用特許: