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J-GLOBAL ID：201702210382477119   整理番号：17A0207356

Ni(111)上のエピタキシャルグラフェン被覆層の偏析成長【Powered by NICT】

Segregation growth of epitaxial graphene overlayers on Ni(111)

著者 (4件)： Yang Yang (iChEM, Dalian Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Fu Qiang (iChEM, Dalian Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Wei Wei (iChEM, Dalian Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Bao Xinhe (iChEM, Dalian Institute of Chemical Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Kexue Tongbao  (Kexue Tongbao)
巻： 61  号： 19  ページ： 1536-1542,1470  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2862A  ISSN： 2095-9273  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属表面上のグラフェン被覆層の配向制御はNi表面上のグラフェン成長における課題として残されている重要な問題である。エピタキシャルグラフェン被覆層を,その場表面画像技術を用いたNi(111)表面炭化ニッケル被覆をアニーリングすることにより得ることができることを示した。エピタキシャルグラフェン島が核形成され,約400°Cで溶解した炭素原子の偏析による成長表面。これは540°CでNi(111)上に直接成長させたエピタキシャルおよび非エピタキシャルグラフェン分域の混合物と対照的である。様々な成長挙動は,表面近傍領域における局所的な炭素密度により制御される核形成動力学に関連している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 炭素 ,  *偏析 ,  画像技術 ,  *エピタクシー ,  焼なまし ,  *ニッケル ,  分域 ,  *グラフェン ,  核形成 ,  *被覆層
準シソーラス用語： 配向制御 ,  金属表面 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 低エネルギー電子顕微鏡法 ,  グラフェン ,  Ni(111) ,  CVD

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ni ,  エピタキシャルグラフェン ,  被覆層 ,  偏析 ,  成長