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J-GLOBAL ID:201702210457255912   整理番号:17A0747657

トリフルオロメチル基を含む超低誘電率多孔性ポリイミド膜の合成と性質【Powered by NICT】

Synthesis and properties of ultralow dielectric constant porous polyimide films containing trifluoromethyl groups
著者 (6件):
資料名:
巻: 134  号:ページ: ROMBUNNO.44494  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0467A  ISSN: 0021-8995  CODEN: JAPNAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,一連のトリフルオロメチル基(CF_3)を含む多孔質コポリイミド(co-PI)膜を相分離プロセスを経て容易に調製した。co-PIは,種々のモル比を有する4,4′-ジアミノジフェニルエーテル(ODA)と3-トリフルオロメチル-4,4′-ジアミノジフェニルエーテル(FODA)の二ジアミンとベンゾフェノン-3,3′,4,4′-テトラカルボン酸二無水物(BTDA)の反応により合成した。平均直径約300μmの厚さと8}10μmの柔軟で強靭な多孔質PI膜はキャスティング溶液によって得ることができた。得られた多孔質PI膜の熱特性は窒素雰囲気下で530°Cから560°Cまでの温度における270°C}280°Cと5%重量損失でガラス転移温度と優れていた。添加では,多孔質PI膜の誘電および疎水性特性は高分子鎖中のトリフルオロメチル基(CF_3)の存在により顕著に改善された。さらに,合成した多孔質PI膜は良好な機械的性質を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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高分子固体の物理的性質  ,  重縮合 
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