MOCVDとその効果欠陥によるシリコン上のAlNの理解核形成の開発【Powered by NICT】

Charles Matthew; Charles Matthew; Bavard Alexis; Bavard Alexis; Bavard Alexis; Bouis Renan; Bouis Renan; Baines Yannick; Baines Yannick; Escoffier Rene; Escoffier Rene

文献

J-GLOBAL ID：201702210495272000 整理番号：17A0759462

MOCVDとその効果欠陥によるシリコン上のAlNの理解核形成の開発【Powered by NICT】

Developments in understanding the nucleation of AlN on silicon by MOCVD and its effects on defects

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資料名：
巻： 214 号： 4 ページ： ROMBUNNO.201600431 発行年： 2017年
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

有機金属化学気相蒸着によるシリコン上のAlN核形成の過程を研究した。我々の反応器,塩素ベース槽を清浄組み込んだの,分子ビームエピタクシー,少量NH_3続いてトリメチルアルミニウム(TMAl)をすなわちによる最適であること示されたものに類似した成長条件を必要とすることを示した。TMAlを最初に紹介した場合,得られた層は低品質と分解した。さらに,最高品質層のための,より長いTMAl注入,電気素子の性能に影響を与えることができる層における「逆ピラミッド」欠陥の密度が増加していることを示した。著者らはウエハの反りは,GaN層の減少した結晶品質に伴って凹面になることを示したように,大面積,高出力トランジスタに処理できるウエハを製造する層品質と形態間で達成されなければならない妥協点であった。12mm~2までの試験構造物の低垂直漏れ電流密度<100nA mm~ 2と高い絶縁破壊電圧>900Vでウエハを生成し,シリコン上の3.6μmの全窒化物構造,200mmウエハ上に<50μm以下船首をもたらすことができた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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半導体薄膜

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