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J-GLOBAL ID：201702210946858283   整理番号：17A0769669

多重積層Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3トンネル障壁を用いたロバストな低電圧プログラム消去可能なコバルトナノ結晶メモリキャパシタ【Powered by NICT】

Robust Low Voltage Program-Erasable Cobalt-Nanocrystal Memory Capacitors with Multistacked Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3 Tunnel Barrier

著者 (7件)： LIAO Zhong-Wei (School of Microelectronics, Fudan University) ,  GOU Hong-Yan (School of Microelectronics, Fudan University) ,  HUANG Yue (School of Microelectronics, Fudan University) ,  SUN Qing-Qing (School of Microelectronics, Fudan University) ,  DING Shi-Jin (School of Microelectronics, Fudan University) ,  ZHANG Wei (School of Microelectronics, Fudan University) ,  ZHANG Shi-Li (School of Microelectronics, Fudan University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 8  ページ： 311-314  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3(A/H/A)トンネル障壁はCoナノ結晶メモリキャパシタについて調べた。単一Al_2O_3トンネル障壁と比較して,A/H/A障壁はヒステリシス窓,すなわち,±12Vで9V掃引範囲の増加を有意に増加させることができる。A/H/Aトンネル障壁の電荷注入のエネルギー障壁の顕著な減少に起因している。さらに,A/H/Aトンネル障壁を持つCoナノ結晶メモリキャパシタは,±7Vの低電圧,高速電荷注入速度,即ち,正孔の電子に対して約2.4×1016cm( 2)/2( 1)と1.9×1016cm( 2)/2( 1)に起因するで100がプログラム/消去のための4.1Vの大きなメモリウィンドウを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  キャリア注入 ,  *多層膜 ,  *ナノ結晶 ,  高速度 ,  *ロバスト性 ,  ヒステリシス ,  *低電圧
準シソーラス用語： エネルギー障壁 ,  *トンネル障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 英語キーワードはない

分類 (5件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 多重積層 ,  トンネル障壁 ,  ロバスト ,  低電圧 ,  消去 ,  コバルト ,  ナノ結晶 ,  キャパシタ