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J-GLOBAL ID：201702211750614450   整理番号：17A0751432

大面積2次元MoTe_2のCVD合成における分子ふるいの役割【Powered by NICT】

Role of Molecular Sieves in the CVD Synthesis of Large-Area 2D MoTe₂

著者 (12件)： Zhou Lin (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Xu Kai (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Xu Kai (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing, China University of Petroleum, Beijing, 102249, China) ,  Zubair Ahmad (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Zhang Xu (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Ouyang Fangping (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Ouyang Fangping (School of Physics and Electronics, and Institute of Super-Microstructure and Ultrafast Process in Advanced Materials, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Palacios Tomas (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Dresselhaus Mildred S. (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Dresselhaus Mildred S. (Department of Physics, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA) ,  Li Yongfeng (State Key Laboratory of Heavy Oil Processing, China University of Petroleum, Beijing, 102249, China) ,  Kong Jing (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, 02139, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201603491  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO_2/Si基板上に所望の相をもつ高品質2D MoTe_2の合成はその多様な応用に重要である。基板Si SiTeとSi_2Te_3をもたらすTeの副反応は成長中に起こる,MoTe_2を得るために破壊をもたらす傾向にある。分子ふるいはけい素テルル化副産物を吸着し,MoTe_2の化学蒸着合成時の副反応の影響を除去できることが分かった。分子ふるいの助けを借りて,数層1t′MoTe_2はMoO_x前駆体から成長させることができた。SiO_2/Si基板の同じ小片上に合成したセンチメートルサイズの領域における純粋な1t′MoTe_2と2時間MoTe_2領域が重複して形状を用いて得ることができる。戦略は望ましい相とMoTe_2の制御合成のための新しい方法を提供し,他のテルルベース層状材料の合成に一般化することができた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 積層材料 ,  化学蒸着 ,  *二次元 ,  前駆体 ,  *テルル ,  形態 ,  *分子ふるい ,  副反応
準シソーラス用語： 高品質 ,  シリコンウエハ ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  化学蒸着 ,  分子ふるい ,  テルル化モリブデン ,  遷移金属二カルコゲン化物

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  2次元 ,  CVD ,  分子ふるい ,  役割