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J-GLOBAL ID：201702211859984373   整理番号：17A0665575

高Ti~3+自己ドーピングと低再結合速度電子-正孔対のにより特性化されたTiO_2~-をベースにした材料の電子的性質【Powered by NICT】

Electronic properties of TiO₂-based materials characterized by high Ti³⁺ self-doping and low recombination rate of electron-hole pairs

著者 (12件)： Aronne A. (Dipartimento di Ingegneria Chimica, dei Materiali e della Produzione Industriale, Universita di Napoli Federico II, Piazzale Tecchio, 80, I-80125, Napoli, Italy. [e-mail]) ,  Fantauzzi M. ,  Imparato C. ,  Atzei D. ,  De Stefano L. ,  D’Errico G. ,  Sannino F. ,  Rea I. ,  Pirozzi D. ,  Elsener B. ,  Pernice P. ,  Rossi A.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 4  ページ： 2373-2381  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 応用可能性の広い範囲で種々のTiO_2~ベース材料の機能的性能を調整する因子は十分に理解されていない。,室温で空気中で行った全ゾル-ゲル法により得られたTi~3+自己ドーピングによって特性化TiO_2~系材料の電子構造を報告した。非晶質ハイブリッドTiO_2~-アセチルアセトナート(H SGT)材料ではTi(IV)-acac錯体の形成は,可視光への光応答性となり,全可視範囲の光を吸収する,IV(約26%)よりも低い酸化状態のTi原子の異常に高い濃度により特性化され,非常に安定なブラックTi~3+自己ドープアナターゼTiO_2ナノ材料(HSGT 400)を400°Cで空気中の簡単な熱処理によって得ることができた。HSGTの非常に高い安定性は,主にプロセスに関連している,それは厳しい条件も外部還元剤の使用を必要としない。,Ti(IV)-acac錯体の存在のために,HSGTの電子構造は室温での非常に長い時間(月)の表面にスーパーオキシドアニオンラジカルの安定化を可能にした。電子-正孔対の異常な低再結合速度は室温,光照射なしに約1時間で水から2,4 ジクロロフェノールの完全な除去を可能にするでの異常な触媒性能をHSGTに与える。著者らの結果は,TiO_2~系材料の製造プロセス,それらの電子構造と,最終的に,それらの機能的挙動間の関係を明らかにした。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャラクタリゼーション ,  スーパーオキシドアニオンラジカル ,  錯体 ,  *チタン ,  ゾル-ゲル法 ,  光照射 ,  可視光 ,  *電子正孔対 ,  ナノ材料 ,  電子構造 ,  触媒活性 ,  還元剤
準シソーラス用語： 酸化状態 ,  光応答 ,  *再結合速度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己ドーピング ,  再結合速度 ,  電子-正孔対 ,  特性化 ,  電子 ,  性質