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J-GLOBAL ID：201702212082690892   整理番号：17A0470915

水素発生反応のための傾斜Ni-S膜の電着【Powered by NICT】

Electrodeposition of graded Ni-S film for hydrogen evolution reaction

著者 (4件)： Zhang Kaiyue (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) ,  Liu Jianguo (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) ,  Xiao Wei (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China) ,  Yan Chuanwei (Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 193  ページ： 77-80  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電着Ni-S膜は水素発生のための優れた触媒特性を提供した。これに反して,より広い範囲での利用はまだそれらの弱い機械的および電気化学的安定性により阻害された。本研究では,個々の層の硫黄含有量を変化させた電着Ni-S傾斜膜の形成を研究することである。電着電流密度を変える逐次によるNi-S傾斜膜を調製する可能性を論じた。調製した傾斜膜は三層:遅い層,S媒質層とS高い層から構成されている。傾斜膜は均一で三層の間の適合性は良好であった。電気化学分析は,Ni-S傾斜膜は非傾斜Ni-S膜と比較して,水素発生反応のための高い触媒活性を生成することを示した。また傾斜膜は長期電解試験中の亀裂の出現なしに高い電気化学的安定性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 適応性 ,  *電着 ,  亀裂 ,  硫黄 ,  電流密度 ,  触媒活性 ,  媒質 ,  *水素発生反応 ,  電解
準シソーラス用語： 電気化学分析 ,  化学的安定性 ,  触媒特性 ,  *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電着 ,  傾斜膜 ,  Ni-S合金 ,  水素発生反応 ,  エネルギー貯蔵および変換

分類 (2件)： 電気めっき  (WC08023B) ,  二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 水素発生反応 ,  Ni ,  電着