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J-GLOBAL ID：201702212191274895   整理番号：17A0022818

15kV SiC MOSFETとJBSダイオードに基づく中電圧固体変圧器【Powered by NICT】

Medium voltage solid state transformers based on 15 kV SiC MOSFET and JBS diode

著者 (6件)： Huang Alex Q. (FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, USA) ,  Li Wang (FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, USA) ,  Tian Qi (FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, USA) ,  Qianlai Zhu (FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, USA) ,  Dong Chen (FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, USA) ,  Wensong Yu (FREEDM Systems Center, North Carolina State University, Raleigh, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IECON  ページ： 6996-7002  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 15kV SiC MOSFETとJBSダイオードに基づく中電圧固体変圧器(SST)の開発の進歩を論じた。7.2kV単相配電系統応用のために設計した,中電圧SSTは高電圧交流に変換する低電圧240/120V交流した。超高電圧SiCデバイスの使用は,電力変換回路トポロジーの単純化を可能にした。本論文では,高電圧SiC MOSFETデバイスの特性だけでなく,超効率的SST設計を達成するためにトポロジー革新を提示した。具体的には,三種類の設計は,AC変換へのACを達成するのに三段階,二段と1段電力変換トポロジーを利用し検討した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  簡素化 ,  単相 ,  *ダイオード ,  位相幾何学 ,  配電系統 ,  電力変換 ,  *変圧器 ,  交流 ,  *炭化ケイ素 ,  低電圧 ,  *中電圧 ,  改変
準シソーラス用語： 回路トポロジー ,  UHV【電圧】 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 移動通信  (ND08030H) ,  信号理論  (ND02020G) ,  AD・DA変換回路  (NC05080M)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  ダイオード ,  中電圧 ,  固体 ,  変圧器