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J-GLOBAL ID：201702212237882257   整理番号：17A0403039

分子ビームエピタクシーにより成長させたエピタキシャル高屈折率Bi_2Se_3(221)膜における歪【Powered by NICT】

Strain in epitaxial high-index Bi₂Se₃(221) films grown by molecular-beam epitaxy

著者 (9件)： Li Bin (Physics Department, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  Chen Weiguang (College of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Chen Weiguang (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou Normal University, Zhengzhou, Henan 450044, China) ,  Guo Xin (Physics Department, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  Ho Wingkin (Physics Department, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong) ,  Dai Xianqi (College of Physics and Electronic Engineering, Henan Normal University, Xinxiang, Henan 453007, China) ,  Dai Xianqi (School of Physics and Electronic Engineering, Zhengzhou Normal University, Zhengzhou, Henan 450044, China) ,  Jia Jinfeng (Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control (Ministry of Education), Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Department of Physics and Astronomy, Shanghai Jiaotong University, 800 Dongchuan Road, Shanghai 200240, China) ,  Xie Maohai (Physics Department, The University of Hong Kong, Pokfulam Road, Hong Kong)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 396  ページ： 1825-1830  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高屈折率Bi_2Se_3(221)膜はIn_2Se_3緩衝されたGaAs(001)であり,はるかに遅滞した歪緩和動力学を記録し上に成長させた。エピタキシャルBi_2Se_3(221)の遅い歪緩和プロセスはBi_2Se_3結晶の層状構造に帰することができる,[221]に沿って成長したエピ膜は基板上に並んだ積層した弱く結合した5層スラブの杭に似ている。最後に著者らは,第一原理法により計算した微分電荷輪郭をプロットすることによりBi_2Se_3とIn_2Se_3の界面での強い化学結合を明らかにした。本研究では,トポロジカル系の性質を操作するための歪んだTIを達成する可能性を指摘した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 界面 ,  第一原理 ,  化学結合 ,  結晶 ,  微分 ,  ヒ化ガリウム ,  層状組織 ,  *MBE成長 ,  電荷 ,  *エピタクシー ,  トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  歪緩和 ,  緩和動力学 ,  *高屈折率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高屈折率Bi_2Se_3 ,  歪を受ける ,  トポロジカル絶縁体 ,  ヘテロ構造 ,  分子ビームエピタクシー

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  エピタキシャル ,  高屈折率 ,  歪