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J-GLOBAL ID：201702212257698133   整理番号：17A0697386

PINアモルファスシリコン薄膜太陽電池のためのn型層としてPをドープしたけい素に富むSiN_x膜の微細構造と光電的性質【Powered by NICT】

Microstructure and photoelectric properties of P-doped silicon-rich SiN_x film as an n-type layer for PIN-type amorphous silicon thin film solar cells

著者 (8件)： Ma Deng-Hao (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Zhang Wei-Jia (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Jiang Zhao-Yi (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Ma Qiang (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Ma Xiao-Bo (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Fan Zhi-Qiang (Center of Condensed Matter and Material Physics, School of Physics and Nuclear Energy Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China) ,  Song Deng-Yuan (Yingli Solar, 3399 Chaoyang North Street, Baoding, China) ,  Zhang Lei (Yingli Solar, 3399 Chaoyang North Street, Baoding, China)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 144  ページ： 808-817  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,シリコンリッチSiN_SiCx:H薄膜中に埋め込まれたりんをドープしたシリコンナノ結晶を,高周波プラズマ増強化学蒸着法を用いて作製した,SiH_4,pH_3,H_2とNH_3混合物であった。微細構造及びnc-Si:H膜の光電特性に及ぼす窒素混入の影響を系統的に調べた。Ramanと透過型電子顕微鏡観察が,窒素の導入がSiナノ結晶の成長を阻害し,それらのサイズと密度は,取込流量比NH_3/(SiH_4+H_2+pH_3)を変えることによって調整できるであろうことを明らかにした。調製した膜の電気伝導率の屈折率と改善の減少は,窒素不純物の増加と共に観察され,流量比が0.02の時,最大伝導率が得られた。さらに,Pをドープしたnc SiN_SiCx:H膜は非晶質シリコン薄膜太陽電池用のn型層として用いて,その効率を最適化し,流量比が0.02の時,高い曲線因子(0.624)と効率(9.26%)を持つ太陽電池が得られた。結果として,適切な窒素取り込みとPをドープしたnc SiN_SiCx:H膜は薄膜太陽電池の性能を効率的に改善することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *微細構造 ,  *太陽電池 ,  電気伝導率 ,  *アモルファスシリコン ,  *ケイ素 ,  屈折率 ,  プラズマCVD ,  ナノ結晶 ,  *薄膜 ,  窒素 ,  *ドーピング ,  リン
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  曲線因子 ,  流量比 ,  *薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜太陽電池 ,  光ルミネセンス ,  窒素取込 ,  りんドーピング

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： アモルファスシリコン ,  薄膜太陽電池 ,  ドープ ,  けい素 ,  微細構造 ,  光電 ,  性質