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J-GLOBAL ID：201702212371217990   整理番号：17A0442882

ZnGeN_2カチオン格子秩序化の特性化と制御【Powered by NICT】

Characterization and control of ZnGeN₂ cation lattice ordering

著者 (4件)： Blanton Eric W. (Department of Physics, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106, United States) ,  He Keliang (Department of Physics, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106, United States) ,  Shan Jie (Department of Physics, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106, United States) ,  Kash Kathleen (Department of Physics, Case Western Reserve University, Cleveland, OH 44106, United States)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 461  ページ： 38-45  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnGeN_2と他のヘテロ原子価三元半導体はオプトエレクトロニクスに重要な応用の可能性を持っているが,バンドギャップ,格子定数,フォノンに影響する,陽イオン副格子の秩序化はまだよく理解されていない。ZnGeN_2カチオン副格子の規則化への成長と加工条件の影響をX線回折とRaman分光法を用いて調べた。多結晶ZnGeN_2は758°Cと914°Cの間の温度でZnとNH_3蒸気に固体Geを曝露することによって成長させた。微結晶はロッド状であり,c軸に沿ってより高い成長速度であった。規則化の程度,無秩序,ウルツ鉱型X線回折スペクトルから斜方晶,空間群Pna2_1は成長温度の増加と共に増加し,回折パターンにおける超構造ピークとピーク分裂の出現によって証明された。850°Cで不規則化した低温成長ZnGeN_2焼なまし増加カチオン規則化をもたらした。758°Cで液体Sn Ge Zn合金に及ぼすZnGeN_2の成長は低い成長温度での陽イオン秩序化の傾向の増加を示し,六方晶平板状結晶をもたらした。ここで示した傾向は,他のヘテロ原子価三元窒化物半導体だけでなくZnGeN_2の合成とキャラクタリゼーションの理解を導くのに役立つ可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Raman分光法 ,  オプトエレクトロニクス ,  微結晶 ,  副格子 ,  斜方晶系 ,  多結晶 ,  バンドギャップ ,  成長速度 ,  六方晶系 ,  *亜鉛 ,  格子定数 ,  焼なまし ,  X線回折 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： 成長温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： X線回折 ,  多結晶蒸着 ,  Nitrides ,  半導性材料

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： カチオン ,  格子秩序 ,  特性化