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J-GLOBAL ID：201702212455863623   整理番号：17A0697995

S_2O_8~2~-Fe~2+系スラリーを用いたケミカルメカニカルポリシング(CMP)によって用意した原子的に円滑な窒化ガリウム(GaN)表面【Powered by NICT】

Atomically smooth gallium nitride surface prepared by chemical-mechanical polishing with S₂O₈ ^{2 -}-Fe²⁺ based slurry

著者 (18件)： Shi Xiaolei (The State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Shi Xiaolei (Shenzhen Key Laboratory of Micro/Nano Manufacturing, Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen, Shenzhen 518057, China) ,  Shi Xiaolei (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optomechatronics, Shenzhen 518057, China) ,  Zou Chunli (The State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zou Chunli (Shenzhen Key Laboratory of Micro/Nano Manufacturing, Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen, Shenzhen 518057, China) ,  Zou Chunli (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optomechatronics, Shenzhen 518057, China) ,  Pan Guoshun (The State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Pan Guoshun (Shenzhen Key Laboratory of Micro/Nano Manufacturing, Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen, Shenzhen 518057, China) ,  Pan Guoshun (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optomechatronics, Shenzhen 518057, China) ,  Gong Hua (The State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Gong Hua (Shenzhen Key Laboratory of Micro/Nano Manufacturing, Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen, Shenzhen 518057, China) ,  Gong Hua (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optomechatronics, Shenzhen 518057, China) ,  Xu Li (The State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Xu Li (Shenzhen Key Laboratory of Micro/Nano Manufacturing, Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen, Shenzhen 518057, China) ,  Xu Li (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optomechatronics, Shenzhen 518057, China) ,  Zhou Yan (The State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Zhou Yan (Shenzhen Key Laboratory of Micro/Nano Manufacturing, Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen, Shenzhen 518057, China) ,  Zhou Yan (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optomechatronics, Shenzhen 518057, China)
資料名： Tribology International  (Tribology International)
巻： 110  ページ： 441-450  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0409B  ISSN： 0301-679X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： S_2O_8~2~-Fe~2+系スラリーを用いた窒化ガリウム上の化学的-機械的研磨の顕著な改善を詳細に示した。結果はS_2O_8~2~-Fe~2+添加剤は,GaNの研磨効率を高めるために明白な効果を有し,研磨後の良好な表面品質を達成できることを示した。錯化剤の添加は触媒系の安定性を明らかに改善する。また,CMPプロセス中の材料除去機構を記述するためにGaNの表面からの原子ステップ-テラスのトポグラフィーの特別な変化則を検討した。結果は,CMPによる材料の除去は,剛体規則,CMPの材料除去機構を改善するのに役立つ可能性があるに従うことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 剛体 ,  研磨 ,  触媒 ,  *スラリー ,  添加剤 ,  *化学機械研磨 ,  表面性状 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 材料除去 ,  錯化剤 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 窒化ガリウム ,  化学-機械研磨 ,  S_2O_8~2~-Fe~2+添加剤 ,  ステップテラス構造 ,  材料除去機構

分類 (2件)： 潤滑一般  (QB02010S) ,  特殊加工  (QC04000Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： スラリー ,  ケミカルメカニカルポリシング ,  CMP ,  原子 ,  窒化ガリウム ,  GaN