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J-GLOBAL ID：201702212568979607   整理番号：17A0618681

Al/Cu₂Se/Ptにおける相変態誘起抵抗スイッチング挙動

Phase transformation induced resistive switching behavior in Al/Cu₂Se/Pt

著者 (4件)： REHMAN Shania (Sejong Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Kihwan (Korea Inst. of Energy Res., Daejeon, KOR) ,  HUR Ji-Hyun (Korea Univ., Sejong, KOR) ,  KIM Deok-kee (Sejong Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 13  ページ： 135301,1-8  発行年： 2017年04月05日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 情報技術の将来の課題に直面するために,抵抗性ランダムアクセスメモリ(RRAM)技術は,従来のフラッシュ技術を置き換える最も有望で信頼性の高い解決策の1つとして検討されてきた。本稿では,Cu₂Seの抵抗スイッチング挙動に及ぼす温度依存相変態の影響を調べるために,Al/Cu₂Se/Pt構成を選択した。Al/Cu₂Se/Pの抵抗スイッチング特性に及ぼす相変態の影響を調べた。デバイスは室温で抵抗スイッチング動作を示さなかったが,Cu₂Se(137°C)の転移温度付近の125°Cで,抵抗スイッチング挙動を示した。抵抗スイッチングはCu₂Seに存在する過剰のCuイオンのCuフィラメントの形成および溶解によるものであった。Cu₂Seの125°Cにおける抵抗スイッチング挙動の起源は,Cu₂Seのその超イオン相への移動に起因する,T_S=137°Cにおける遷移温度付近のCuイオンの熱拡散の増加に起因した。熱力学的モデルを用いて,抵抗スイッチング機構の理解を古典的な核生成理論に基づいて計算されたCu核生成のGibb’sの自由エネルギーは,より高い温度でのCu原子のより高い過飽和比を示唆した。

シソーラス用語： アルミニウム ,  *セレン化銅 ,  白金 ,  スイッチング ,  *相変態 ,  *記憶装置 ,  *フィラメント ,  結晶核形成
準シソーラス用語： *抵抗スイッチングメモリ ,  導電性フィラメント

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E) ,  金属相変態  (CB03020W)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  Pt ,  相変態 ,  誘起 ,  抵抗スイッチング ,  挙動