文献

J-GLOBAL ID：201702212588736706   整理番号：17A0446084

Li-N共ドープZnSnO薄膜トランジスタの電気特性に及ぼすポストアニーリング温度の調製と効果【Powered by NICT】

Preparation and effects of post-annealing temperature on the electrical characteristics of Li-N co-doped ZnSnO thin film transistors

著者 (8件)： Dai Shiqian (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Wang Tao (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Li Ran (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Zhou Dongzhan (China Building Materials Academy, Beijing 100024, China) ,  Peng Yunfei (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Wang Hailong (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Zhang Xiqing (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China) ,  Wang Yongsheng (Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Optoelectronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 6  ページ： 4926-4929  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,千鳥配置ボトムゲート構造を持つ透明Li N共添ZnSnO(ZTO(Li, N))薄膜トランジスタ(TFTs)を室温で高周波マグネトロンスパッタリングにより作製した。はそれらの物理的および電気的特性に及ぼすポストアニーリング温度の影響を調べることに置いた。適切なポストアニーリング温度が良好な品質の薄膜を達成するだけでなく,ZTOの電気的性能の改善に寄与する:(Li, N)TFT。675°CでアニールしたZTO(Li, N)TFTは高い飽和移動度26.8cm~2V~ 1s~ 1の6.0Vのしきい値電圧と大きなオン/オフ電流比4.5×10~7で最良の電気特性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  *電気特性 ,  移動度 ,  電気的性質 ,  *ドーピング ,  品質 ,  *薄膜トランジスタ
準シソーラス用語： オフ電流 ,  閾値電圧 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  ボトムゲート ,  千鳥配置 ,  *アニーリング温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 薄膜トランジスタ ,  電気的性質 ,  電子材料

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Li ,  ドープ ,  薄膜トランジスタ ,  電気特性 ,  アニーリング温度 ,  調製