文献
J-GLOBAL ID:201702212595171848   整理番号:17A0776062

太陽電池におけるp-n接合を介した前面接触の侵入によって引起された特異的シャント抵抗を特性化するための新しいアプローチ【Powered by NICT】

Novel approach for characterizing the specific shunt resistance caused by the penetration of the front contact through the p-n junction in solar cell
著者 (2件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 65-67  発行年: 2009年 
JST資料番号: C2377A  ISSN: 1674-4926  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
シャントは,太陽電池変換効率を大幅に減少させることができ,その電流測定結果は,全細胞の全てのシャントの全体のシャント効果を反映しているだけであった。エミッタ接合を通しての前面接触の侵入によって引起された局所シャントを正確に特性化するために,桁橋接触と名付けた新しい構造をもつシリコン太陽電池を作製した。結果はエミッタ下の領域は他のエミッタ領域よりもより悪い短絡したことを示した。試料調製過程は,産業シリコン製作順序,大きな利便性を両立した。測定結果は,太陽電池構造,材料成分とプロセスパラメータに関する情報を与えた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池 

前のページに戻る