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J-GLOBAL ID：201702212644792940   整理番号：17A0703450

HfO_xベース抵抗ランダムアクセスメモリにおける動的コンダクタンス特性【Powered by NICT】

Dynamic conductance characteristics in HfO_x-based resistive random access memory

著者 (10件)： Chen Ying-Chen (Microelectronics Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering, The University of Texas at Austin, Austin, Texas 78758, USA. [e-mail]) ,  Chang Yao-Feng ,  Wu Xiaohan ,  Zhou Fei ,  Guo Meiqi ,  Lin Chih-Yang ,  Hsieh Cheng-Chih ,  Fowler Burt ,  Chang Ting-Chang ,  Lee Jack C.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 21  ページ： 12984-12989  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al/HfO_χ/AlとAl/AlO_x/HfO_χ/Al構造におけるHfO_xベース抵抗スイッチングメモリ(RRAM)の特性は,動的コンダクタンス法を用いて研究した。手術の階段状RESET挙動だけでなく,前後RESET領域を特性化した。結果は,酸化物界面における欠陥はAl/AlO_x/HfO_χ/Al構造におけるサイクル問題を引き起こすことを示した。このようなリセット挙動をAl/HfO_χ/Al構造では観察されなかった。初期リセットイベントをきたした過熱誘起された電流は局所領域における電気的および熱的応力を減少させることが電流走査法を用いて避けることができた。実験結果はHfO_xベースRRAMにおける潜在的信頼性問題と電力管理への洞察を提供するだけでなく,抵抗スイッチング機構を明らかにするのに役立った。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信頼性 ,  キャラクタリゼーション ,  電流 ,  電力管理 ,  酸化物 ,  熱応力 ,  *コンダクタンス ,  界面 ,  走査 ,  アルミニウム ,  過熱
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  抵抗スイッチングメモリ ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  コンダクタンス