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J-GLOBAL ID：201702212678133624   整理番号：17A0662458

単軸歪のもとでのArseneneの電子的および光学的性質【Powered by NICT】

Electronic and Optical Properties of Arsenene Under Uniaxial Strain

著者 (8件)： Xu Wenqi (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Lu Pengfei (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Wu Liyuan (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Yang Chuanghua (School of Physics and Telecommunication Engineering, Shanxi University of Technology, Xianyang, China) ,  Song Yuxin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Guan Pengfei (Beijing Computational Science Research Center, Beijing, China) ,  Han Lihong (State Key Laboratory of Information Photonics and Optical Communications, Beijing University of Posts and Telecommunications, Beijing, China) ,  Wang Shumin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 1  ページ： ROMBUNNO.9000305.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪んだ単分子層arseneneの電子的および光学的性質を,第一原理密度汎関数理論に基づいて計算した。著者らの理論計算は,単分子層arseneneはアームチェアとジグザグ方向に沿った一軸引張歪を誘導することにより直接から間接バンドギャップ半導体に変換されたことを示した。0.04の二軸引張歪と比較して,この変換はアームチェアとジグザグ方向に沿って0.06と0.10の歪で生じた。スピン-軌道結合がバンドギャップを調整するために利用可能である。スピン-軌道相互作用は,無歪単分子層arseneneのΓ点における0.2eVバンドギャップを開くものである。吸収特性を計算し,増加する歪で観察された明白な赤方偏移。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 第一原理 ,  スピン-軌道相互作用 ,  一軸 ,  二軸 ,  密度汎関数法 ,  赤方偏移 ,  *光学的性質 ,  半導体 ,  単分子層 ,  バンドギャップ ,  折れ線
準シソーラス用語： L-S結合 ,  間接バンドギャップ ,  引張歪 ,  *軸歪 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 軸歪 ,  電子 ,  光学的性質