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J-GLOBAL ID：201702212687453486   整理番号：17A0369875

トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3薄膜の厚さに依存する磁気輸送特性とテラヘルツ応答【Powered by NICT】

Thickness-dependent magnetotransport properties and terahertz response of topological insulator Bi₂Te₃ thin films

著者 (6件)： Le Phuoc Huu (Faculty of Basic Sciences, Can Tho University of Medicine and Pharmacy, 179 Nguyen Van Cu Street, Can Tho, Viet Nam) ,  Liu Po-Tsun (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010 Taiwan) ,  Luo Chih Wei (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010 Taiwan) ,  Luo Chih Wei (Taiwan Consortium of Emergent Crystalline Materials, Ministry of Science and Technology, Taipei 10601, Taiwan) ,  Lin Jiunn-Yuan (Institute of Physics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Wu Kaung Hsiung (Department of Electrophysics, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010 Taiwan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 692  ページ： 972-979  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 構造,形態,磁気輸送特性だけでなく,パルスレーザ蒸着(PLD)により成長させたトポロジカル絶縁体Bi_2Te_3薄膜の0.25 2.25THz領域におけるテラヘルツ(THz)応答の厚さ(d)依存性を報告した。Bi_2Te_3膜は134.8cm~ 1で102.5cm~ 1とA~2_で高度にc軸配向(組織膜)及びE~2の二Raman活性モードを示した。膜は比較的低いキャリア濃度2.0×10~19と4.4×10~19cm~ 3を得た。膜は低磁場(B)の二次元の弱い(2D WAL)反局在磁気抵抗を示し,2D WALは厚さ依存性を示し,トポロジカル表面状態(TSS)の存在を示唆した。膜厚は152~16QL減少するとTHz透過率が,抵抗率の増加(減少したキャリア濃度と関連する)のために増加した。複素コンダクタンスはDrude表面,Drudeバルク,およびフォノンの三成分とDrude-Lorentzモデルにより良く記述された。表面のDrudeスペクトル重み(SW)が支配的で,厚さに依存しなかった。に加えて,バルクとフォノンSWのDrude SWは厚さの増加と共に直線的に増加する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フォノン ,  *テラヘルツ波 ,  透過率 ,  弱磁場 ,  パルスレーザ蒸着 ,  電気抵抗率 ,  二次元 ,  コンダクタンス ,  磁気抵抗 ,  膜厚 ,  キャリア密度 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 厚み依存性 ,  反局在 ,  *磁気輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： トポロジカル絶縁体 ,  テルル化ビスマス ,  弱い反局在 ,  テラヘルツ分光法 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  電気的性質  (WB02010Y) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (7件)： トポロジカル絶縁体 ,  薄膜 ,  厚さ ,  磁気 ,  輸送特性 ,  テラヘルツ ,  応答