再成長p GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたGaN基板上の1.7kV/1.0mΩcm~2ノーマリオフ垂直GaNトランジスタ【Powered by NICT】

Shibata Daisuke; Kajitani Ryo; Ogawa Masahiro; Tanaka Kenichiro; Tamura Satoshi; Hatsuda Tsuguyasu; Ishida Masahiro; Ueda Tetsuzo

文献

J-GLOBAL ID：201702212799903804 整理番号：17A0214200

再成長p GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたGaN基板上の1.7kV/1.0mΩcm~2ノーマリオフ垂直GaNトランジスタ【Powered by NICT】

1.7 kV/1.0 mΩcm² normally-off vertical GaN transistor on GaN substrate with regrown p-GaN/AlGaN/GaN semipolar gate structure

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著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 2016 号： IEDM ページ： 10.1.1-10.1.4 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

1.0mΩcm~2の低い比オン状態抵抗と1.7kVの高オフ状態破壊電圧を持つバルクGaN基板上のノーマリーオフ形垂直GaN系トランジスタを提示した。P GaN/AlGaN/GaN三重層はドリフト層上に形成されたV形溝上にエピタキシャル再成長させた。チャネルがAlGaN/GaN界面,2.5Vで安定なスイッチング動作の高いしきい値電圧を可能にするで減少したシートキャリア濃度をもついわゆる半極性面を利用した。チャネル下のp-GaN井戸層上に形成された炭素をドープした絶縁性GaN層の形成は,ソースとドレイン間のオフ状態,良好なオフ状態特性を可能にするにおけるパンチスルー電流を抑制することに注意すべきである。作製した高電流垂直トランジスタは400V/15Aで成功した高速スイッチングを達成した。これら結果を示し垂直GaNトランジスタである将来の高電力スイッチング応用のための非常に有望であることを示す。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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