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J-GLOBAL ID：201702212821624090   整理番号：17A0057914

マグネトロンスパッタリングにより堆積したITO膜に及ぼす焼なましプロセスに先立つ前処置過程によるLEDチップの発光効率の改善【Powered by NICT】

The improvement of the luminous efficacy of LED chips by a pre-treatment process before annealing process on ITO films deposited by magnetron sputtering

著者 (4件)： Yin L. F. (HC Semi Tek Limited Corporation, BinHu Road No.8, Wuhan, Hubei Province, China) ,  Han T. (HC Semi Tek Limited Corporation, BinHu Road No.8, Wuhan, Hubei Province, China) ,  Wu Z. H. (HC Semi Tek Limited Corporation, BinHu Road No.8, Wuhan, Hubei Province, China) ,  Wang J. B. (HC Semi Tek Limited Corporation, BinHu Road No.8, Wuhan, Hubei Province, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina  ページ： 14-16  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングにより蒸着したインジウムすず酸化物(ITO)薄膜をInGaNベースの発光ダイオード(LED)の透明導電層として広く用いられている。電子ビーム蒸発により蒸着したITO膜と比較して,マグネトロンスパッタリングにより堆積したITO膜は,高い光透過率と大きな電気伝導率,LEDに対してより高い効率をもたらすを有していた。しかし,LEDの表面はマグネトロンスパッタリング中の高エネルギーITO粒子の衝撃,より高いITO/p-GaN接触抵抗の原因となるにより損傷することができた。加えて,n electrode/n GaN接触も異なるITO処理プロセスによる影響を受ける可能性がある。は作動電圧を最小にするITO堆積と処理プロセスを最適化するために必要である本研究では,ITO堆積と処理プロセスとITO/p-GaNとn electrode/n GaNのOhm接触の関係を詳細に調べ,円輸送ライン法(CTLM)と輸送ライン法(TLM)した。マグネトロンスパッタリングITO膜のための特別な前処理プロセスをさらにn electrode/n GaN接触抵抗を低下させることにより従来のプロセスと比較して0.1V動作電圧を減少させることができることが分かった。研究は,特に高出力作動条件における白色LEDの発光効率を改善するのに役立つ。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子ビーム蒸着 ,  *前処理 ,  最適化 ,  窒化ガリウム ,  発光ダイオード ,  *マグネトロンスパッタリング ,  Ohm接触 ,  電気伝導率 ,  酸化スズ ,  接触抵抗 ,  *焼なまし
準シソーラス用語： 高出力 ,  光透過率 ,  InGaN ,  *発光効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  ITO膜 ,  焼なまし ,  プロセス ,  前処置 ,  過程 ,  LEDチップ ,  発光効率