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J-GLOBAL ID：201702213082645332   整理番号：17A0755634

in vitroおよびex vivoでの記録のためのグラフェン電界効果トランジスタ【Powered by NICT】

Graphene Field-Effect Transistors for In Vitro and Ex Vivo Recordings

著者 (15件)： Kireev Dmitry (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany) ,  Zadorozhnyi Ihor (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany) ,  Qiu Tianyu (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany) ,  Sarik Dario (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany) ,  Brings Fabian (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany) ,  Wu Tianru (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Seyock Silke (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany) ,  Maybeck Vanessa (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany) ,  Lottner Martin (Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, Garching, Germany) ,  Blaschke Benno M. (Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, Garching, Germany) ,  Garrido Jose (Walter Schottky Institut, Technische Universitaet Muenchen, Garching, Germany) ,  Xie Xiaoming (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, China) ,  Vitusevich Svetlana (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany) ,  Wolfrum Bernhard (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany) ,  Offenhuusser Andreas (Institute of Bioelectronics, Forschungszentrum Juelich, Juelich, Germany)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16  号： 1  ページ： 140-147  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 起電性細胞(特にニューロン)から記録細胞外電位は,現代のバイオエレクトロニクスの特徴目的地である。シリコン技術によるフレキシブルで生体適合性in vivoでのデバイスの製作は複雑で時間がかかるが,代わりに,グラフェン電界効果トランジスタ(GFET)は柔軟で生体適合性基板上に作製できる。本研究では,剛体(SiO_2/Siとサファイア)および柔軟性(ポリイミド)基板上に作製したGFETを比較した。ポリイミド上に作製したGFETは非常に大きな相互コンダクタンス値,最大11mS V~ 1,および1750cm~2V~ 1s~ 1移動度を示した。心筋細胞様細胞培養からのin vitro記録は,剛体透明基板(サファイア)上のGFETにより行った。多チャネル測定による,両:活動電位の差として,チップ上のそれらの空間伝搬を記録し,解析することができた。制御フレキシブルポリイミドに及ぼす鋼(PIonS)基質である一次ラットはい心臓組織からex vivoで記録電気信号することができた。PIonSチップの柔軟性を考慮して,優れた感度と共に,グラフェンベースのin vivoバイオセンシングへの新しい道を開くものである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 剛体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *in vitro実験 ,  サファイア ,  活動電位 ,  柔軟性 ,  電気信号 ,  心筋細胞 ,  生体適合性 ,  *グラフェン ,  ポリイミド ,  バイオセンサ ,  細胞培養
準シソーラス用語： バイオエレクトロニクス ,  *ex vivo実験 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  電界効果トランジスタ