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J-GLOBAL ID：201702213303315304   整理番号：17A0825939

バーストモードを含むモバイルCPU動作のためのIII-V族FETのための新しい方向:In_0 35Ga_0Ga0.65Asチャネル【Powered by NICT】

A New Direction for III-V FETs for Mobile CPU Operation Including Burst-Mode: In_0.35Ga_0.65As Channel

著者 (20件)： Rakshit T. (Samsung Advanced Logic Lab, Austin, TX, USA) ,  Obradovic B. (Samsung Advanced Logic Lab, Austin, TX, USA) ,  Wang W.-E. (Samsung Advanced Logic Lab, Austin, TX, USA) ,  Kim W.-H. (imec, Leuven, Belgium) ,  Shin K.-M. (imec, Leuven, Belgium) ,  Baek S.-C. (imec, Leuven, Belgium) ,  Lee S.-W. (imec, Leuven, Belgium) ,  Kim S.-H. (imec, Leuven, Belgium) ,  Lee J.-M. (imec, Leuven, Belgium) ,  Kim D. (imec, Leuven, Belgium) ,  Hoover A. (Samsung Austin R&D, Austin, TX, USA) ,  Song W.-B. (Samsung, Seoul, South Korea) ,  Cantoro M. (Samsung, Seoul, South Korea) ,  Heo Y.-C. (Samsung, Seoul, South Korea) ,  Rooyackers R. (imec, Leuven, Belgium) ,  Ardila S. C. (imec, Leuven, Belgium) ,  Vais A. (imec, Leuven, Belgium) ,  Lin D. (imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert N. (imec, Leuven, Belgium) ,  Rodder M. S. (Samsung Advanced Logic Lab, Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 3  ページ： 314-317  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レターでは,筆者らはスケールされたノードで中等度/高In組成チャネル(In_0In0.53Ga_0Ga0.47AsまたはIn_0 0.70Ga_0 0.30As)と従来のIII-V族MOSFETは,モバイルSoC設計,バーストモード中の高周波を含むを達成するために中間/高V_dd(0.7Vに≧1V)で動作すると両立しないことを示した。増加した電圧で操作すると不和合性が小さすぎるバンドギャップを持つ従来のIII-V族FETと高すぎる漏れに起因した。In_0 0.35Ga_0Ga0.65As,より最適な低いIn含有量のFETは低い漏れと高性能の両方(対Si)を可能にし,モバイルSoC操作の全V_dd範囲への大きなバンドギャップ(~Si)と十分に高い注入速度(~2.5倍Si)の必要な組合わせを持つことを示した。標準1nm EOTゲート誘電体を有する超薄In_0 0.35Ga_0Ga0.65As FETの成長と特性評価を初めて報告した。較正されたモデルはIn_0 0.35Ga_0Ga0.65Asは短チャネルFETにおける中間/高V_ddで非常に低い漏れで最高の性能を可能にすることを示す。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インジウム ,  電圧 ,  MOSFET ,  不和合性 ,  *携帯電話 ,  ゲート絶縁膜 ,  バンドギャップ ,  *チャネル ,  キャラクタリゼーション ,  HF【周波数】
準シソーラス用語： 短チャネル ,  注入速度 ,  システムオンチップ ,  *バーストモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： バーストモード ,  モバイル ,  CPU ,  FET ,  チャネル