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J-GLOBAL ID：201702213399232027   整理番号：17A0214196

7nm及びそれを超えるノードのための信頼性の高いサブnm EOT高kスタックを有するCMOS互換MIMデカップリングコンデンサ【Powered by NICT】

CMOS compatible MIM decoupling capacitor with reliable sub-nm EOT high-k stacks for the 7 nm node and beyond

著者 (16件)： Ando T. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Cartier E. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Jamison P. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Pyzyna A. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Kim S. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Bruley J. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA) ,  Chung K. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Shobha H. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Estrada-Raygoza I. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Tang H. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Kanakasabapathy S. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Spooner T. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Clevenger L. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Bonilla G. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Jagannathan H. (IBM Research @ Albany Nanotech, Albany, NY, USA) ,  Narayanan V. (IBM T.J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 9.4.1-9.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-絶縁体-金属(MIM)デカップリングコンデンサのための0.8nmの記録的に低いEOT(等価酸化膜厚),バックエンドオブライン(BEOL)プロセスに適合性を実証した。これは1V,125~°Cで5fA/um~2の43fF/um~2,及び漏れ電流密度(J_g)の板MIM容量密度をもたらす。さらに,正と負の両方のバイアス極性に対してCV/IV/TDDB特性の対称性は,静電容量密度の増加のための一つ以上のMIMキャパシタを積層のための重要な考慮事項であることを確認した。HfO2と金属電極の間のバッファ層,電気バイアス対称性を大幅に改善すると新しい三層高kスタックを開発し,EOT=0.8nmでV_use=1.32V(10 yr/1 ppm/1 cm~2/125 ~oC)を達成した。これらの結果は,記録積層MIM(>板)容量密度を支持し,サブnm EOT,7nmノード以降のべきである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 対称性 ,  *バイアス ,  静電容量 ,  バッファ層 ,  極性 ,  絶縁材料 ,  酸化ハフニウム ,  絶縁体 ,  積層 ,  金属電極 ,  等価酸化膜厚 ,  経時絶縁破壊
準シソーラス用語： MIMキャパシタ ,  TDDB ,  漏れ電流密度 ,  BEOL ,  *デカップリングキャパシタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ノード ,  サブ ,  EOT ,  スタック ,  CMOS ,  MIM ,  デカップリングコンデンサ