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J-GLOBAL ID：201702213431611984   整理番号：17A0852399

アモルファスカーボン抵抗ランダムアクセスメモリに及ぼすアンモニアの影響【Powered by NICT】

Influence of Ammonia on Amorphous Carbon Resistive Random Access Memory

著者 (10件)： Chen Wen-Chung (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Tsai Tsung-Ming (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chang Kuan-Chang (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chen Hsin-Lu (Department of Mechanical and Electro-Mechanical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Shih Chih-Cheng (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Yang Chih-Cheng (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Lin Jiun-Chiu (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Lin Yu-Shuo (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Su Yu-Ting (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chen Po-Hsun (Department of Physics, National Sun Yat-Sen University, Kaohsiung, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 4  ページ： 453-456  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルゴンとアンモニア混合ガスによる炭素ターゲットのスパッタリングによる非晶質炭素抵抗ランダムアクセスメモリに及ぼすアンモニアの影響を調べた。アンモニアなしで蒸着したデバイスと比較してアンモニア(C(NH_3)-RRAM)を持つ素子を作製し,メモリウィンドウと高抵抗状態の顕著な改善を示した。材料分析の結果,アミンの吸収信号を確認した。電流フィッティングは,伝導機構はアンモニアを添加したホッピング伝導からショットキー伝導が示唆された。最後に,非晶質炭素RRAMの抵抗スイッチング挙動に及ぼすアンモニアの影響を説明するためのモデルを提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ホッピング伝導 ,  アルゴン ,  アミン ,  混合気体 ,  電流 ,  モデル ,  炭素 ,  *アンモニア ,  抵抗スイッチング ,  伝導機構 ,  *アモルファスカーボン ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： アモルファスカーボン ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  アンモニア