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J-GLOBAL ID：201702213523285501   整理番号：17A0365984

単結晶SiCウエハ上に堆積したSi薄膜からの高品質SiCナノワイヤの自己組織化成長【Powered by NICT】

Self-assembly growth of high-quality SiC nanowires from Si thin films deposited on single-crystalline SiC wafers

著者 (8件)： Kim Byeong Geun (School of Energy, Materials and Chemical Engineering, Korea University of Technology and Education, Cheonan 330-708, Korea) ,  Kim Byeong Geun (Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea) ,  Kim Byung-Sung (Department of Engineering Science, University of Oxford, Oxford OX1 3PJ, UK) ,  Choi Soon-Mok (School of Energy, Materials and Chemical Engineering, Korea University of Technology and Education, Cheonan 330-708, Korea) ,  Lee Ji Eun (Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea) ,  Jeong Seong-Min (Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea) ,  Lee Myung-Hyun (Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea) ,  Seo Won-Seon (Energy & Environmental Division, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology, Jinju 660-031, Korea)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 16  ページ： 18955-18959  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,良く秩序化したグラフェン層は熱アニーリングによるSiC単結晶の表面上に直接成長させたことを報告した。この現象に基づいて,Siを蒸着したSiCからのSiCナノワイヤの自己組織化成長を実証した。スパッタリングによるSiC単結晶上のSi薄膜の蒸着後,それらはArガス雰囲気下で10h,1200°Cと1400°Cでアニールした。高品質のSiCナノワイヤは1400°CでアニールしたSiを蒸着したSiCの表面上に成長させた,黒鉛状炭素球が1200°Cで形成されただけであるSiC単結晶から発生した炭素原子は膜中に拡散し,SiCナノワイヤの成長のための炭素源として機能した。Si薄膜を熱アニーリング中に酸化され,SiCナノワイヤのSi源と炭素原子の拡散経路の両方として作用した。本研究はSiC上のナノ構造の結晶成長と電界放出とパワーデバイスのような種々の応用のためのSiCベースナノ電子デバイスの作製を前進させるのに役立つと考えられる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 炭素 ,  *自己組織化 ,  スパッタリング ,  グラフェン ,  電界放出 ,  *ナノワイヤ ,  *単結晶 ,  ナノ構造 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素
準シソーラス用語： 電子素子 ,  熱アニーリング ,  *高品質 ,  *シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 炭化けい素 ,  グラフェン ,  Nanowires ,  積層欠陥 ,  スパッタ ,  Films

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (8件)： ウエハ ,  堆積 ,  Si薄膜 ,  高品質 ,  SiC ,  ナノワイヤ ,  自己組織化 ,  成長