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J-GLOBAL ID:201702213594827515   整理番号:17A0443929

酸化すず薄膜紫外光検出器の性能に及ぼす焼なまし時間の影響【Powered by NICT】

Effect of annealing time on the performance of tin oxide thin films ultraviolet photodetectors
著者 (5件):
資料名:
巻: 623  ページ: 1-7  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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酸化すずSnO_2薄膜をガラス基板上にゾル-ゲル法により堆積した。堆積したままの薄膜を異なる時間(15 30 60及び120分)及び550°Cでアニールした。構造的及び形態的研究をX線回折法及び原子間力顕微鏡により全ての試料で実施した光学的性質をUV-可視分光光度計を用いて得られた。XRDパターンから,試料は,二次相のないSnO_2のルチル構造をもつ多結晶をもつことを明らかにした。A FM画像は,SnO_2薄膜は滑らかな表面形態を持つことを示した。可視領域における光学的性質を堆積した層は高い透過率を持つことを示した。光学バンドギャップエネルギーは3.61 3~3.73eVの範囲で変化した。最後に,UV光検出器デバイスの活性層として試料の紫外(UV)検出特性を調べた。SnO_2薄膜の電流-電圧特性を暗と光環境,アニーリング時間としての2V印加電圧と120分の下での線形挙動と高電流比>10~4 22.9nAの低い暗電流を示す下で行った。一方,30分間の焼鈍試料で観察された高い光電流。,作製した素子の過渡的光応答を種々のアニーリング時間で報告されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  光物性一般 
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