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J-GLOBAL ID：201702213605908487   整理番号：17A0025940

金属-絶縁体-半導体コンタクトの熱安定性関連:Ti/TiO₂/n型Siコンタクトのケーススタディ

Thermal Stability Concern of Metal-Insulator-Semiconductor Contact: A Case Study of Ti/TiO₂/n-Si Contact

著者 (9件)： Yu Hao (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, Belgium) ,  Schaekers Marc (, imec, Leuven, Belgium) ,  Schram Tom (, imec, Leuven, Belgium) ,  Demuynck Steven (, imec, Leuven, Belgium) ,  Horiguchi Naoto (, imec, Leuven, Belgium) ,  Barla Kathy (, imec, Leuven, Belgium) ,  Collaert Nadine (, imec, Leuven, Belgium) ,  Thean Aaron Voon-Yew (, imec, Leuven, Belgium) ,  De Meyer Kristin (Department of Electrical Engineering, Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 7  ページ： 2671-2676  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,金属-絶縁体-半導体(MIS)コンタクトの熱安定性について議論した。代表的な低いショットキー障壁高(qφb)MISコンタクトに関してケーススタディを行った。n型Siに種々のレベルのドナー濃度を取り入れることにより,種々の電子伝導機構のもとで系統的なTi/TiO₂/n型Si熱安定性調査を行った。筆者らは,Ti/TiO₂/n型Si MISコンタクトのqφ_bとコンタクト抵抗ρ_cがほんの300°C~500°Cの1分の急速熱処理後,大幅に変化することを見出した。qφ_bとρ_cにおける変化は熱的に駆動されたTiO₂分解に関連している。このTi/TiO₂/n型Siの熱安定性調査は,MISコンタクト応用に対する一般的な関連を明らかにする:n型半導体上のMISコンタクトは一般的に反応性低仕事関数金属と極薄の絶縁体を用いる故に,集積回路の標準製作において熱収支を考慮してそれらの界面品質を維持することは困難である。このMIS熱安定性問題への可能な解について論じた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *熱安定性 ,  *チタン ,  *酸化チタン ,  *ケイ素 ,  *N型半導体 ,  *電気接点 ,  *安定性解析 ,  *半導体集積回路 ,  Schottky障壁 ,  事例研究 ,  ドナー ,  不純物濃度 ,  電気伝導 ,  接触抵抗 ,  RTA【熱処理】 ,  仕事関数 ,  超薄膜 ,  絶縁膜 ,  熱収支 ,  電気抵抗 ,  電気抵抗率 ,  価電子バンド
準シソーラス用語： 回路安定性 ,  寄生抵抗

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁体 ,  コンタクト ,  熱安定性 ,  Ti ,  TiO2 ,  Si ,  ケーススタディ