文献

J-GLOBAL ID：201702213645199375   整理番号：17A0469086

エピタキシャル単層グラフェンナノリボンの成長に及ぼすSiC(0001)表面形態の影響【Powered by NICT】

The effect of the SiC(0001) surface morphology on the growth of epitaxial mono-layer graphene nanoribbons

著者 (7件)： Galves L.A. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Wofford J.M. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Soares G.V. (Instituto de Fisica, UFRGS, 91509-900 Porto Alegre, Brazil) ,  Jahn U. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Pfueller C. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Riechert H. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany) ,  Lopes J.M.J. (Paul-Drude-Institut fuer Festkorperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 115  ページ： 162-168  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンナノリボン(GNR)は,そのユニークな特性のためにナノエレクトロニクスにおける応用に有望である。,GNRの制御された高品質合成を達成する非常に重要であると予想される。大いなる可能性を示している方法の一つは,表面黒鉛化法によるSiC(0001)の表面ファセット上のGNRの成長である。本報告では,成長温度とSiC基板のミスカット角度(または初期ステップ高さ)に及ぼすGNR幅の依存性を研究した。線形成長速度は低いステップ高さの成長を最も良く記述したが,非線形速度は高いステップ,ステップ端上の数層グラフェンの形成と関連する基板で観察された。試料の構造特性を原子間力顕微鏡,走査電子顕微鏡,及びRaman分光法により行った。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 線形性 ,  *炭化ケイ素 ,  原子間力顕微鏡 ,  黒鉛化 ,  成長速度 ,  走査電子顕微鏡 ,  ファセット ,  *グラフェン ,  Raman分光法 ,  構造特性
準シソーラス用語： 成長温度 ,  高品質 ,  ナノエレクトロニクス ,  *表面形態 ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  単層グラフェン ,  ナノリボン ,  成長 ,  SiC ,  表面形態