文献

J-GLOBAL ID：201702213693797656   整理番号：17A0381560

サブミクロン厚PECVD DLCで被覆した完全単結晶シリコンの引張特性【Powered by NICT】

Tensile properities of single-crystal-silicon fully coated with submicrometer-thick PECVD DLC

著者 (5件)： Zhang Wenlei (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Japan) ,  Uesugi Akio (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Japan) ,  Hirai Yoshikazu (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Japan) ,  Tsuchiya Toshiyuki (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Japan) ,  Tabata Osamu (Department of Micro Engineering, Kyoto University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 732-735  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブミクロン厚ダイヤモンドのプラズマ増強化学蒸着(PECVD)を用いて状カーボン(DLC)薄膜で被覆した完全単結晶シリコン(SCS)微細構造の引張強度の改善を報告した。DLCの不均一なコーティングによる変形や損傷,高い残留応力を最小化するために,長さ120μm,幅4μm,厚さ5μmの寸法をもつ放出されたSCS試験片は頂部及び底部側から同時に被覆した。三種類の異なる堆積バイアス電圧は約150nmの厚さを採用した。引張強さは,析出バイアス電圧に依存して完全な被覆による53.5%まで改善した。添加では,強度の偏差は,裸のSCS試料に比較して有意に減少した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜 ,  試験片 ,  *プラズマCVD ,  微細構造 ,  引張強さ ,  ダイヤモンド ,  残留応力 ,  *引張特性 ,  機械的性質 ,  強度 ,  鉱石 ,  宝石
準シソーラス用語： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  厚 ,  PECVD ,  DLC ,  単結晶シリコン ,  引張特性