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J-GLOBAL ID：201702213704140823   整理番号：17A0204751

動的ランダムメモリデバイスの研究進展【JST・京大機械翻訳】

Research progresses of dynamic random access memory devices

著者 (4件)： Wu Jun (State Key Laboratory of ASIC (Application Specific Integrated Circuit) and System, Fudan University) ,  Yao Yao (State Key Laboratory of ASIC (Application Specific Integrated Circuit) and System, Fudan University) ,  Lu Xiqun (State Key Laboratory of ASIC (Application Specific Integrated Circuit) and System, Fudan University) ,  Wang Pengfei (State Key Laboratory of ASIC (Application Specific Integrated Circuit) and System, Fudan University)
資料名： Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue  (Zhongguo Kexue. Wulixue, Lixue, Tianwenxue)
巻： 46  号： 10  ページ： 107304-1-107304-10  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2586A  ISSN： 1674-7275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 動的ランダムメモリチップは集積回路における販売量と販売量が最も大きい単一製品である。本論文では、DRAM貯蔵ユニットの基本原理を紹介し、DRAMの技術発展と重要な革新を回顧し、多種の先進技術ノードのDRAMチップ製造のキー技術をまとめた。キャパシタ構造,アレイアクセストランジスタ,メモリユニット構造などの技術的発展を解析した。本論文では,U形チャネルトランジスタに基づくDRAM記憶装置と6F2記憶装置の製造法を紹介した。いくつかの重要な技術的ブレークスルーに基づき,次世代のDRAMチップのキー技術の開発動向を推定した。すなわち,(1)アレイ選択トランジスタはU形トランジスタを使用する。(2)低K材料は大規模な使用により、寄生虫の寄生容量を低下させる。(3)高感度増幅回路の感度を向上させ,温度を動的に調整することによって,記憶容量の必要条件を減少させることができた。(4)低消費電力設計に注目し、メモリ容量を大きく増大させない。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  漂遊容量 ,  必要条件 ,  高感度 ,  *DRAM ,  トランジスタ ,  増幅器 ,  コンデンサ ,  寄生虫 ,  集積回路 ,  記憶容量
準シソーラス用語： 低電力化 ,  開発動向 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： dynamic random access memory ,  short channel effect ,  buried word line ,  array access transistor ,  storage capacitor

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： メモリデバイス ,  研究 ,  進展