文献

J-GLOBAL ID：201702213851284383   整理番号：17A0705483

原子層堆積したSnO膜を用いた高性能p型薄膜トランジスタの作製【Powered by NICT】

Fabrication of high-performance p-type thin film transistors using atomic-layer-deposited SnO films

著者 (9件)： Kim Soo Hyun (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, 02792, South Korea. [e-mail]) ,  Baek In-Hwan ,  Kim Da Hye ,  Pyeon Jung Joon ,  Chung Taek-Mo ,  Baek Seung-Hyub ,  Kim Jin-Sang ,  Han Jeong Hwan ,  Kim Seong Keun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 12  ページ： 3139-3145  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,原子層堆積(A LD)により成長させたSnOチャネル層を持つ高品質のp型薄膜トランジスタ(TFT)を実証した。SnO TFTの性能はSnOにおける正孔キャリアと欠陥とSnOのバックチャネル表面とゲート誘電体/SnO界面の品質近傍の依存している。210°Cの高温でSnO膜の成長は効果的に正孔キャリア濃度を抑制し,高オン電流/オフ電流(I_on/I_off)比をもたらした。添加では,210°Cで成長させたSnO膜はそれらの大きな粒径と低不純物含有量のため,低い温度で成長させたSnO膜と比較して高い電界効果移動度(μ_FE)を達成した。しかし,210°Cで成長させたSnO膜は欠陥と正孔キャリア,特にバックチャネル表面近傍を含んでいた。堆積後プロセスA LD成長Al_2O_3とバックチャネル表面不動態化とそれに続く250°Cでの堆積後アニーリングによってはかなり欠陥と正孔キャリアを軽減する,優れたTFT性能(I_on/I_off:2×10~6,サブしきい値スイング:1.8V dec~ 1μ_FE:~1cm~2V~ 1秒~ 1)をもたらした。SnO A LDとそれに続くプロセスは高性能p型酸化物TFTを製造するための新しい機会を提供するであろうことを期待する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  品質 ,  正孔 ,  アルミニウム ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化物 ,  ゲート絶縁膜 ,  キャリア密度 ,  チャネル ,  不純物 ,  焼なまし
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  表面不動態化 ,  電界効果移動度 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： 原子層堆積 ,  高性能 ,  薄膜トランジスタ ,  作製