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J-GLOBAL ID：201702213960873987   整理番号：17A0124341

単位胞とその電界放出特性の異なる幅を有するパターン形成したほう素ナノワイヤ膜の調製【Powered by NICT】

Preparation of patterned boron nanowire films with different widths of unit-cell and their field emission properties

著者 (7件)： Zhang Yongxin (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Fei (School of Microelectronics, Sun Yat-sen University) ,  Shen Chengmin (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Jun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Deng Shaozhi (School of Microelectronics, Sun Yat-sen University) ,  Xu Ningsheng (School of Microelectronics, Sun Yat-sen University) ,  Gao Hongjun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 8  ページ： 088102-1-088102-05  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素ナノワイヤ(BNWs)の大面積パターン化膜を,化学蒸着(CVD)によって種々の密度で作製した。Moマスクの単位格子の異なる幅をテンプレートとして使用した。Moマスクの単位格子の幅は100μm,150μm,200μmであった。単位格子間の距離は50μmである。BNWsは平均直径約20nm,長さ10μm~20μmであった。高分解能透過型電子顕微鏡分析は,各ナノワイヤは良好な結晶化とb正方晶構造を持つことを示した。BNW膜の電界放出測定は,それらのターンオン電場は,単位格子増加の幅と共に減少することを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶化 ,  *パターン形成 ,  化学蒸着 ,  正方晶系 ,  *ホウ素 ,  モリブデン ,  *ナノワイヤ ,  *電界放出
準シソーラス用語： ターンオン電界 ,  HRTEM ,  大面積 ,  *単位格子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： パターン化ホウ素ナノワイヤ ,  単位胞の異なる幅 ,  電界放出特性

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 単位胞 ,  電界放出 ,  パターン形成 ,  ほう素 ,  ナノワイヤ ,  調製