構造工学による低バンドギャップ高分子/[6,6]-フェニルC_70酪酸メチルエステルブレンドフォトダイオードの系統的最適化【Powered by NICT】

Yoon Seongwon; Ha Jaeun; Sim Kyu Min; Cho Wookhyun; Chung Dae Sung

文献

J-GLOBAL ID：201702214066207282 整理番号：17A0312559

構造工学による低バンドギャップ高分子/[6,6]-フェニルC_70酪酸メチルエステルブレンドフォトダイオードの系統的最適化【Powered by NICT】

Systematic optimization of low bandgap polymer/[6,6]-phenyl C₇₀ butyric acid methyl ester blend photodiode via structural engineering

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資料名：
巻： 35 ページ： 17-23 発行年： 2016年08月
JST資料番号： W1352A ISSN： 1566-1199 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

暗電流と検出能に関して正孔ブロック層,電子ブロッキング層と活性層の厚さと形態の効果を系統的に分析することによる高分子系有機フォトダイオード(OPD)を最適化するための合成法が報告されている。反復alkylthienylbenzodithiophene(BDTT)及びジケトピロロピロール(DPP)ユニットを有するPBDTT DPPは光活性層を構築するためのn型[6,6]-フェニルC_70酪酸メチルエステル(PC_70BM)と結合した広帯域吸収と高い吸収係数の両方を達成するためのp型高分子として使用されている。種々の界面層の系統的研究により,活性層の厚さと正孔/電子ブロッキング層のエネルギー準位はOPDの暗電流を最小化するために重要であることが分かった。PBDTT DPP/PC_70BMブレンドの堆積法を変え,後処理を用いて,活性層の形態はOPDの光電流に直接関係することを発見した。さらに,暗電流を抑制するためのPHJの有効性を実証するためにバルクヘテロ接合と平面ヘテロ接合(PHJ)間の比較研究を行った。最適化デバイス構造と形態を持つ高検出感度5.3×10~12Jonesのを実現した。本研究は,逆飽和領域における高い光電流と低い暗電流の両方を必要とするOPDを最適化するための合成アプローチの重要性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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測光と光検出器一般 , 太陽電池 , 電池一般

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