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J-GLOBAL ID：201702214073287987   整理番号：17A0090019

InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響

Effect of Drain-Side Recess Length on DC and RF Characteristics of Cryogenic InP HEMTs

著者 (9件)： 遠藤聡 (情報通信研究機構) ,  渡邊一世 (情報通信研究機構) ,  笠松章史 (情報通信研究機構) ,  高橋剛 (富士通研) ,  芝祥一 (富士通研) ,  中舍安宏 (富士通研) ,  岩井大介 (富士通研) ,  三村高志 (情報通信研究機構) ,  三村高志 (富士通研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 375(ED2016 80-95)  ページ： 7-12  発行年： 2016年12月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InP系75-nmゲートIn_0.52Al_0.48As/In_0.63Ga_0.37As HEMTの温度300及び16KにおけるDC,RF特性を,種々のドレイン側リセス長L_rdにおいて測定した。16Kにおけるドレイン電流-電圧(I-V)特性は,全てのL_rdの場合においてキンクを示した。遮断周波数f_Tの最高値は,300,16Kの両方においてL_rdの増大につれて減少する。一方,最大発振周波f_maxは,300,16Kの両方において非常に複雑な挙動を示す。各温度,各ドレイン電圧において,f_maxを増大させる最適なL_rdが存在することが分かった。また,等価回路パラメータを抽出し,f_Tとf_maxの傾向について考察した。f_Tは相互コンダクタンスg_mとゲート容量C_gで構成されるが,L_rdの増加に伴ってg_mは減少しC_gは増大する。f_maxは主にドレインコンダクタンスg_dとゲート・ドレイン容量C_gdの傾向を反映し,L_rdが長い領域ではg_d,L_rdが短い領域ではC_gdの影響が比較的大きいようである。(著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *HEMT ,  熱特性 ,  *素子構造 ,  *電流電圧特性 ,  *遮断周波数 ,  モデル ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： InP ,  低温特性 ,  リセス構造 ,  等価回路モデル

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： InP ,  HEMT ,  低温 ,  DC ,  RF ,  ドレイン