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J-GLOBAL ID：201702214079185479   整理番号：17A0376597

高分子キャッピング層を用いた多層MoS_2トランジスタの性能向上【Powered by NICT】

Enhanced performance of multilayer MoS₂ transistor employing a polymer capping layer

著者 (4件)： Guo Junjie (Hunan Key Laboratory of Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Jiang Jie (Hunan Key Laboratory of Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Zheng Zhouming (Hunan Key Laboratory of Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China) ,  Yang Bingchu (Hunan Key Laboratory of Super Microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, Hunan 410083, PR China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 40  ページ： 75-78  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)MoS_2電界効果トランジスタ(FET)をそれらの興味ある電子的,光学的および機械的性質のために多くの注目を集めている。本研究では,多層MoS_2FETの電気的性質はキャッピング層としての水溶性ポリビニルアルコール(PVA)高分子を用いて有意に増強された。重要なパラメータである電界効果移動度(μ),PVAキャップ層は,三桁の大きさの増加をほとんど意味を適用した後に0.28cm~/Vsから269.2cm~/Vsに増加した。Schottky障壁変調に基づくエネルギーバンド図を装置機構を理解するために提案した。結果は,将来の集積回路,センサ,およびフレキシブルエレクトロニクスのための2D MoS_2FETの応用に向けた重要な段階を表している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *多層 ,  センサ ,  機械的性質 ,  Schottky障壁 ,  *トランジスタ ,  電気的性質 ,  二次元 ,  *高分子 ,  集積回路
準シソーラス用語： フレキシブルエレクトロニクス ,  エネルギー帯 ,  キャップ層 ,  電界効果移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2次元材料 ,  MoS_2 ,  高分子 ,  キャッピング層 ,  電界効果トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高分子 ,  キャッピング層 ,  多層 ,  トランジスタ ,  性能向上