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J-GLOBAL ID：201702214106520722   整理番号：17A0143884

高電力応用のための完全プリントMIMバラクタ【Powered by NICT】

A fully-printed MIM varactor for high power application

著者 (9件)： Kienemund Daniel (Institut fuer Mikrowellentechnik und Photonik, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Kohler Christian (Institute for Applied Materials, Karlsruhe Institute of Technology, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Fink Thomas (COMET AG, Flamatt, Switzerland) ,  Abrecht Mike (COMET AG, Flamatt, Switzerland) ,  Wiens Alex (Institut fuer Mikrowellentechnik und Photonik, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Bigler Walter (COMET AG, Flamatt, Switzerland) ,  Binder Joachim R. (Institute for Applied Materials, Karlsruhe Institute of Technology, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany) ,  Maune Holger (Institut fuer Mikrowellentechnik und Photonik, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Jakoby Rolf (Institut fuer Mikrowellentechnik und Photonik, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EuMC  ページ： 623-626  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 完全スクリーン印刷された金属-絶縁体-金属(MIM)厚膜バラクタを示し,高出力応用のために設計した。バラクタは4.2nFの室温と13.56で26MHzの品質因子で静電容量となる可変同調形強誘電体チタン酸バリウムストロンチウム(BST)の9.9μm厚膜層に基づいている。37.2%の可同調性は2.88nF容量を減少させ,32.3の品質因子を増加させる100Vのバイアス電圧で測定した。バラクタの電力処理能力は,13.56MHzで背中合わせに配置で50Ω装置で評価した。バラクタはLマッチ回路のシャント分枝に置いた。最大515WのRF入力パワーでバラクタは,66VのRF RMS電圧と37W消費電力の11aのRMS電流に耐えることができた。400WのRF入力パワーでバラクタは128VのDCバイアス電圧で18%の同調性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 消費電力 ,  絶縁材料 ,  スループット ,  静電容量 ,  厚膜 ,  強誘電体 ,  *可変容量ダイオード ,  同時性 ,  スクリーン印刷 ,  *電力 ,  絶縁体
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  チタン酸バリウムストロンチウム ,  可変同調 ,  品質因子 ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  気体放電  (BJ03020T) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電力応用 ,  MIM ,  バラクタ