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J-GLOBAL ID：201702214301261419   整理番号：17A0400495

SOI無接合FinFETのRF安定性性能とプロセス変動の影響【Powered by NICT】

RF stability performance of SOI junctionless FinFET and impact of process variation

著者 (2件)： Jegadheesan V. (School of Electronics Engineering, VIT University, Vellore, India) ,  Sivasankaran K. (School of Electronics Engineering, VIT University, Vellore, India)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 59  ページ： 15-21  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,絶縁体無接合のFinFET(SOI JLFinFET)上の20nmけい素の無線周波数(RF)安定性性能に及ぼす温度(T),チャネルドーピング濃度(N_D),フィン高さ(H_fin)とフィン幅(W_fin)のようなプロセスパラメータ変動の影響を調べた。開発したRF安定性モデルは,臨界周波数(f_k)と改良された安定性のために最適化できる小信号パラメータを提供した。結果は,温度上昇(27 200°C)カットオフ周波数(f_T)と最大発振周波数(f_max)は,それぞれ12%と8%減少し,安定性係数(K)は高い周波数で20%減少すると示した。N_D,H_finとW_finを増加f_Tとf_maxを増加させるが,安定性性能を劣化させる。結果もRF範囲で運転SOI JLFinFET用に最適化された設計指針を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 昇温 ,  プロセスパラメータ ,  遮断周波数 ,  絶縁材料 ,  最適化 ,  *周波数 ,  フィン ,  絶縁体
準シソーラス用語： 設計指針 ,  発振周波数 ,  臨界周波数 ,  無線周波数 ,  *プロセス変動 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 無接合トランジスタ ,  プロセス変動 ,  安定性因子 ,  カットオフ周波数 ,  最大振動周波数

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SOI ,  FinFET ,  RF ,  安定性 ,  プロセス変動