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J-GLOBAL ID：201702214325613708   整理番号：17A0375098

FeドープGaN上に作製したUV検出器の性能に及ぼす透明導電性ナノ結晶酸化物薄層の影響【Powered by NICT】

The effect of transparent conductive nanocrystalline oxide thin layer on performance of UV detectors fabricated on Fe-doped GaN

著者 (6件)： Xing Z. (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Wang R.X. (Vacuum Interconnected Nanotech Workstation, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Fan Y.M. (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Wang J.F. (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Zhang B.S. (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China) ,  Xu K. (Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics, Chinese Academy of Sciences, Suzhou 215123, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 57  ページ： 132-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明導電性ナノ結晶酸化物の挿入層を持たない金属-semiconductor-金属(MSM)Schottky紫外検出器の二種類のFeドープ半絶縁性GaNエピ層上に作製した。検出器の光学応答性は金属電極とFeドープGaNのGaをドープしたナノ結晶ZnO(GZO)の薄い層を挿入することによって二桁の大きさで大きく改善されることが分かった。このような改善は,GZOの薄層の挿入によるGaN中のFe不純物に起因したトラップの価電子帯不連続性と効率的な抑制再結合と関連していることが示唆された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノ結晶 ,  酸化亜鉛 ,  *窒化ガリウム ,  再結合 ,  不純物 ,  *鉄 ,  価電子バンド ,  *導電性 ,  *ガリウム ,  紫外検出器 ,  *ドーピング ,  不連続性
準シソーラス用語： 光応答 ,  エピタキシャル層 ,  半絶縁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  GZO ,  UV検出器 ,  薄膜 ,  酸化物半導体

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Fe ,  ドープ ,  GaN ,  作製 ,  UV検出 ,  導電性 ,  ナノ結晶 ,  酸化物 ,  薄層