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J-GLOBAL ID:201702214477064220   整理番号:17A0315293

MOCVDによるMgAl_2O_4(100)基板上の単結晶a TiO_2膜の特性評価【Powered by NICT】

Characterization of single crystalline a-TiO2 films on MgAl2O4(100) substrates by MOCVD
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資料名:
巻: 42  号: 12  ページ: 13863-13867  発行年: 2016年09月 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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有機金属(OM)源としてテトラキスジメチルアミノチタン(TDMAT)を用いた有機金属化学蒸着(MOCVD)法により500 650°Cの基板温度でMgAl_2O_4(100)基板上に堆積したアナターゼ相TiO_2(a TiO_2)膜。構造分析は,600°Cで調製したTiO_2膜は双晶をもつ最良の単結晶品質を持っていたことを示した。膜の面外および面内エピタキシャル関係はTiO_2(001)MgAl_2O_4(100)およびTiO_2[100]MgAl_2O_4[100]であった。化学量論組成の均一でコンパクトな表面は600°C蒸着試料で得られた。可視範囲における全TiO_2膜の平均透過率は91%を超えており,膜の光学バンドギャップは3.31から3.41eVに変化した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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セラミック・磁器の性質  ,  酸化物薄膜 
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